DRAM-MODULE

Gevonden in 2008, Ons groepsbedrijf bevindt zich bijna 15 jaar in het OEM-flashgeheugengebied, OEM DRAM-module, OEM SSD, OEM USB FLASH DRIVE, OEM TF-KAART, als een professionele OEM-flashgeheugenleverancier, hebben we ons geconcentreerd op het aanbieden van service aan grote merkklanten , belangrijkste handelaren en landdistributeurs. Om handelaren en landdistributeurs beter te ondersteunen, hebben we zowel in HongKong als in ShenZhen regelmatig kant-en-klare goederen, we hebben elke maand meer dan 1 miljoen stuks verkocht.

Aanvraag sturen

We ondersteunen voornamelijk DDR3, DDR4 voor klanten die ook SSD-zaken doen, voor merkklanten of computerfabrieken, we hebben ook LPDDR die nu alleen China Inland-grote mobiele telefoon- en iPad-klanten en enkele smartwatch-klanten ondersteunen. Met zijn hoge prestaties en lager verbruik is het goed voor kleine slimme apparaten.

Dram/LPDDR Technische Parameter:

PRODUCT CATEGORIE	SPECIFICATIE / MAX DATA SNELHEID	DIKTE	PAKKET	BEDRIJF TEMPERATUUR
DRAM	DRAM D3	2Gb / 4Gb	FBGA 96 Ball	25 graden ~ 85 graden
DRAM	DRAM D4	4Gb / 8Gb	FBGA 96 Ball
DRAM-module	U-DIMM	4GB / 8GB / 16GB/32GB	/	0 graad - 85 graad
	SO-DIMM
	R-DIMM	8GB/16GB/32GB	/	0 graad - 85 graad
LPDDR	LP DDR4	2GB / 3GB / 4GB / 6GB / 8GB	200Bal	0 graad - 70 graad

Specificaties:

Productmodelnr.	Specificatie	Dikte	Dimensie	Pakket
DRAM U-DIMM /SO-DIMM	8GB X8/X16 1.2V*2666/2933/3200Mbps	8GB	7,5 x 13,3 mm (W x L)	78Bal/96Bal
DRAM U-DIMM /SOD-IMM	16GB X8/X16 1.2V*2666/2933/3200Mbps	16 GB	10,3 x 11 mm (W x L)	78Bal/96Bal
DRAM U-DIMM /SO-DIMM	32GB X8/X16 1.2V*2666/2933/3200Mbps	32GB	10,3 x 11 mm (W x L)	78Bal/96Bal

Beschikbare module:

Onderdeelnummer 1)	Dikte	Organisatie	Component Samenstelling	Aantal Rang	Hoogte
4 GB UDIMM	4GB	512Mx64	512Mx16 * 4	1	31,25 mm
8 GB UDIMM	8GB	1Gx64	1Gx8 * 8	1	31,25 mm
16 GB UDIMM	16 GB	2Gx64	1Gx8 * 16	2	31,25 mm
4GB SODIMM	4GB	512Mx64	512Mx16 * 4	1	30 mm
8 GB SODIMM	8GB	1Gx64	1Gx8 * 8	1	30 mm
16GB SODIMM	16 GB	2Gx64	1Gx8 * 16	2	30 mm

OPMERKING:

1) (2133 Mbps 15-15-15) / (2400 Mbps 17-17-17) / (2666 Mbps 19-19-19) / (3200 Mbps 22-22-22) / (3200 Mbps 16-18-18) - DDR{ {12}}(3200Mbps 16-18-18) is achterwaarts compatibel met lagere frequenties.

BELANGRIJKSTE KENMERKEN

Snelheid	DDR4-2133	DDR4-2400	DDR4-2666	DDR4-3200	DDR4-3200	DDR4-3200	Eenheid
Snelheid	15-15-15	17-17-17	19-19-19	22-22-22	19-19-19	16-18-18	Eenheid
tCK(min)	0.938	0.833	0.75	0.625	0.625	0.625	NS
CAS-latentie	15	17	19	22	19	16	nCK
tRCD(min)	14.06	14.16	14.25	13.75	11.875	11.25	NS
tRP(min)	14.06	14.16	14.25	13.75	11.875	11.25	NS
TRAS(min)	33	32	32	32.5	30.0	22.5	NS
tRC(min)	47.06	46.16	46.25	46.25	41.875	33.75	NS

●JEDEC standaard 1,2V ± 0,06V voeding

●V_DDQ= 1.2V ± 0.06 V

●1067MHz f_CKvoor 2133Mb/sec/pin, 1200MHz f_CKvoor 2400Mb/sec/pin 1333MHz fCK voor 2666Mb/sec/pin, 1600MHz fCK voor 3200Mb/sec/pin

●16 banken (4 bankgroepen)

● Programmeerbare CAS-latentie: 10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20,21, 22

●Programmable Additive Latency (Gepost CAS): 0, CL - 2 of CL - 1 klok

●Programmeerbare CAS-schrijflatentie (CWL)=11,14 (DDR4-2133), 12,16 (DDR4-2400) en 14,18 (DDR4- 2666) • Burst-lengte : 8, 4 met tCCD=4 die naadloos lezen of schrijven niet toestaat [on the fly met A12 of MRS]

●Bidirectionele differentiële gegevensstroboscoop

●On Die Beëindiging met ODT-pin

●Gemiddelde verversingsperiode 7.8us bij lager dan TCASE 85C, 3.9us bij 85C < TCASE  95C

●Asynchrone reset

FUNCTIEBLOKSCHEMA voor:

4GB, 512M x 64Module (ingevuld als 1 rang van x16DDR4 SDRAM's)

OPMERKING :

1) Tenzij anders vermeld, zijn de weerstandswaarden 150Ω 5 procent.

2) ZQ-weerstanden zijn 2400Ω 1 procent. Raadpleeg voor alle andere weerstandswaarden het betreffende bedradingsschema.

8 GB, 1Gx64-module (ingevuld als 1 rang van x 8DDR4 SDRAM's)

Populaire tags: dram module, groothandel, prijs, massa, OEM